基于Fe/x-AlOx/p-InGaAs结构的侧向自旋光电二极管和具有折射窗口的侧面窗户
摘要：具有侧边设备的折射面的侧向型自旋光电二极管被提出并在室温下得到了证明。在器件侧面水平散射的光被折射并直接引入到自旋检测Fe接触下的薄InGaAs有源层中，其中通过晶态AlOx隧道屏障在Fe接触中产生和注入自旋极化载流子。通过圆偏振光谱仪装置进行了实验，其中通过转化效率F~0.4\%获得了螺旋度依赖光电流分量dI，其中F是dI与总光电流Iph之比。这个值是迄今为止纯侧向型自旋光电二极管中报告的最高值。通过使用漂移-扩散和量子隧穿方程组成的模型进行分析，讨论了限制F值的一个因素是半导体中自旋极化电子注入的能量区域中Fe的未占据自旋极化态密度。
作者：Ronel Christian Roca, Nozomi Nishizawa, Kazuhiro Nishibayashi, and Hiro Munekata
论文ID：1802.07393
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-07-04