p型GaAs中的核自旋晶格弛豫
摘要：研究了p型GaAs中核自旋系统的自旋-格拉斯曼弛豫，使用光泵浦和测量黑暗间隔时间前后核自旋极化差异的三阶段实验方案。该方法使我们能够测量"在黑暗中"（即没有照明）光泵浦核的自旋-格拉斯曼弛豫时间$T_1$。测量得到的$T_1$值在亚秒时间范围内，比之前研究的n型GaAs短三个数量级。磁场和温度对p-GaAs中的$T_1$的影响进一步突出了明显的差异，与n-GaAs中的相似性不存在。该意外行为在一个发展的理论模型中得到解释，该模型涉及由密集的给体-受体对内的电场引起的核自旋的四极弛豫。
作者：M. Kotur, R. I. Dzhioev, M. Vladimirova, R. V. Cherbunin, P. S. Sokolov, D. R. Yakovlev, M. Bayer, D. Suter, and K. V. Kavokin
论文ID：1802.05013
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2018-05-02