纳米结构中间带太阳能电池中隧穿效应的益处影响
摘要：通过非平衡格林函数形式，我们提出对纳米结构中级带太阳能电池中的电子激发和收集进行研究。我们证明了纳米物体和宿主材料之间的薄隧道障碍对电流和电压都是有益的。对于电流来说，由这样一个薄障碍引起的限制有利于纳米物体中的亚带光学耦合，从而改善了激发-收集折衷。我们还表明，纳米物体中的态密度增宽会增加辐射复合，进而降低电压。使用详细平衡模型，我们提出了一个用于Voc降解的增宽因子，当隧道障碍增强纳米物体中的寿命时，这个因子会减小。
作者：Nicolas Cavassilas, Daniel Suchet, Amaury Delamarre, Fabienne Michelini, Marc Bescond, Yoshitaka Okada, Masakazu Sugiyama, Jean-Franc{c}ois Guillemoles
论文ID：1802.04212
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-02-13