铁电场效应晶体管中陡峭的亚阈值斜率的替代解释
摘要：亚60mV/decade的开关已被报道多年，然而迄今为止，这些报道缺乏完整的物理解释，因为它们通常使用了铁电层中的负电容来解释实验观察结果。因为负电容本身不是一个物理概念，我们提出了一个依赖铁电层的非线性和非平衡行为的替代模型。结果显示，可以通过一个称为核化和传播的两步开关过程来获得陡峭的亚阈值斜率。利用来自断裂动力学的壁移动概念，我们能够解释陡峭斜率效应。同时，还添加了一个简单的数学模型来进一步描述这一现象，并进一步研究其在亚10nm时代获得陡峭斜率晶体管的潜在好处。
作者：Jan Van Houdt and Philippe Roussel
论文ID：1802.03590
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-07-04