表征锗结型晶体管
摘要：晶体管提供了现代电子学的基础。作为相对复杂的器件，并且常常表现出强烈的参数变化，这种类型的电子器件在特性和建模方面引发了很多研究兴趣。在这项工作中，我们应用了一种基于Early效应的最新建模方法，用于表征新的旧库存的NPN和PNP小信号锗结晶体管，并将它们与更现代的硅双极晶体管进行比较。Early方法在于其两个参数，即Early电压Va和比例参数s，是固定的并且与晶体管的工作无关。我们获得了令人瞩目的结果，其中包括所考虑的四组器件（NPN和PNP锗器件以及硅器件）在Early参数空间中主要占据非重叠区域，而PNP器件在这两种情况下都呈现出更大的参数变异性。令人惊讶的是，所考虑的锗器件的参数变异性小于硅器件的观测结果。当将这四组晶体管映射到由电流增益和输出电阻参数定义的更传统的空间时，它们展现出更大的重叠，并产生了比Early映射允许的聚类结构更不规则的结构。这个结果表明，Early表示与放大器等在本研究中考虑的器件的结构更兼容和内在相关。此外，还验证了每对NPN-PNP锗和硅器件的质心分别被相应的增益为130和250的eta等值线穿过。锗器件还被表征为具有较小的输出电阻和较小的Early电压幅度。
作者：Luciano da F. Costa
论文ID：1802.01662
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-02-07