MBE生长的自供电{eta}-Ga2O3 MSM深紫外光探测器
摘要：自供能的零偏差下具有0.5％外部量子效率（EQE）的自供能 η-Ga2O3 深紫外金属-半导体-金属（MSM）光电探测器。使用等离子体辅助分子束外延在c面蓝宝石上生长了厚度为150 nm的（-201）取向的外延 η-Ga2O3 薄膜。采用Ni/Au和Ti/Au金属堆叠沉积作为接触以实现交错指数结构中的非对称肖特基势垒高度，以实现自供能光电探测器。研究并与在相同样品上制备的使用Ni/Au作为肖特基金属接触的传统对称MSM光电探测器进行比较，研究了光电特性（光电流和暗电流）、时域光电流和光谱响应。非对称的自供能器件在无偏差条件下表现出阳光盲性和低暗电流< 10 nA（15 V），光电流与暗电流之比高达~ 103。暗电流和光电流对于施加偏压是非对称的，正向偏压时的响应性表现为增益。探测器（非对称MSM）在零偏差条件下呈现出1.4 mA/W的响应度（对应于EQE~ 0.5％），在0 V和5 V时的紫外-可见光抑制比分别为~ 102和~ 105。
作者：Anamika Singh Pratiyush, Sriram Krishnamoorthy, Sandeep Kumar, Zhanbo Xia, Rangarajan Muralidharan, Siddharth Rajan, Digbijoy N. Nath
论文ID：1802.01574
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-02-07