90纳米节点VLSI中单金属接触开路引起的扫描链故障的根本原因分析和修正
摘要：90nm node SOC的完全金属接触定位的本文采用了电子束吸收电流（EBAC）技术和扫描诊断，首次报道了。根据从X射线能量色散光谱（EDX）获得的检测到的过量碳、硅和氧信号，认为故障是由于铜镀前O2等离子体干洗过程中形成的硅酸盐光刻胶聚合物未能完全去除所导致的。基于此，我们建议在铜镀前用稀HF清洗替代干洗，可以显著去除硅酸盐聚合物并提高产量。
作者：Chao-Cheng Ting, Ya-Chi Liu, Hsuan-Hsien Chen, Chung-Ching Tsai, Liwen Shih
论文ID：1801.10333
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-02-01