28纳米CMOS工艺中的能效混合CMOS-NEMS LIF神经元电路
摘要：用28纳米的深亚微米技术设计模拟亚阈值神经形态电路可能是一项艰巨的任务，原因是泄露电流过多的问题。我们提出了一种新颖的能量高效的混合CMOS-纳米电动力学开关（NEMS）泄漏积分与火（LIF）神经元和突触电路，并研究了NEM开关对泄漏功率和总能耗的影响。我们分析了仿生激励神经元电路在泄漏功耗方面的性能，并提出了以生物合理的发放速率运行的新型能量高效的神经元电路。我们的研究结果表明，在28纳米工艺中，所提出的CMOS-NEMS神经元电路在相同复杂度下，平均比其CMOS对应物节能35\%。此外，我们还讨论了如何利用NEM开关进一步提高混合信号神经形态电路的可扩展性。
作者：Saber Moradi, Sunil A. Bhave and Rajit Manohar
论文ID：1712.07299
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-12-21