NBTI/PBTI老化和工艺变异对MOSFET和FinFET触发器的写入失效的影响
摘要：数字电路中噪声边际的评估及相关的故障概率已经变得越来越重要，因为纳米级CMOS和FinFET技术面临由老化机制（如NBTI）和过程参数的变异引起的可靠性问题。这些现象的影响尤其与存储元件中的写入噪声边际（WNM）相关，因为存储的错误逻辑值可能导致系统状态的失效。在这项工作中，我们计算并比较了经过多年的过程变化和NBTI老化对不同CMOS和FinFET基础的触发器单元的实际WNM的影响。大规模的晶体管级蒙特卡罗模拟产生了所选择触发器的名义（即平均）值和相关的标准偏差。这使得可以计算在输入电压漂移的情况下产生的写入故障概率，并评估不同电路拓扑和技术之间的鲁棒性比较。
作者：Usman Khalid, Antonio Mastrandrea, Mauro Olivieri
论文ID：1712.06934
分类：Other Computer Science
分类简称：cs.OH
提交时间：2020-07-20