芯片级电迁移可靠性评估中的多个芯片内变异效应
摘要：电迁移（EM）的物理基础简介及经典EM相关理论，影响EM导线寿命的物理参数讨论以及现有EM物理模拟器的背景介绍。本研究采用基于原子浓度平衡的模型进行EM物理模拟，讨论了模拟设置和结果。我们提出了一种用于电力网导线的变异感知电迁移（EM）分析工具，考虑了化学机械抛光（CMP）和边缘放置误差（EPE）引起的工艺变异。该工具采用紧凑模型，具有关键区域提取和变异系数计算功能。
作者：Karthik Airani, Rohit Guttal
论文ID：1712.05562
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-12-18