PDMS的选择性蚀刻：将蚀刻作为正向抗蚀剂
摘要：纯聚二甲基硅氧烷（PDMS）作为一种广泛应用于微米或纳米制造的材料，其选择性蚀刻方法至今未知。本文作者提出了两种蚀刻纯、无添加物和固化的PDMS作为正性抗蚀材料的方法。为了实现对聚合物的化学修饰以实现选择性蚀刻，我们使用了高能离子。我们制备了7μm和45μm厚的PDMS层，并利用聚焦质子微束对其进行了多种相对较大剂量的图案化处理。在本文中，作者证明了在70°C的温度下，30wt\％的氢氧化钾（KOH）或30wt\％的氢氧化钠（NaOH）可选择性地蚀刻质子辐照的PDMS，并去除化学上充分修饰的区域。在KOH显影中，最大蚀刻速率约为3.5um/分钟，发生在约7.5 * 10^15离子·cm-2处。 在NaOH蚀刻中，最大蚀刻速率稍低，为1.75um/分钟，并可在稍高剂量8.75 * 10^15离子·cm-2处找到。这些结果非常重要，因为迄今为止我们不知道如何在光刻中开发无添加剂、交联的聚二甲基硅氧烷作为正型胶版材料。
作者：S.Z. Szilasi, C. Cserhati
论文ID：1712.03125
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-12-11