THz电写速度在反铁磁存储器中
摘要：通过在室温下实验证明，使用反铁磁体可以将电写入存储设备的速度扩展到太赫兹级，从而突破了国际先进铁磁存储速度的物理限制。我们的研究揭示了高效的电流诱导自旋转矩机制在从赫兹到太赫兹的12个数量级范围内实现存储器切换。我们的工作为开发达到太赫兹频段的存储逻辑技术开辟了道路。
作者：K. Olejnik, T. Seifert, Z. Kaspar, V. Novak, P. Wadley, R.P. Campion, M. Baumgartner, P. Gambardella, P. Nemec, J. Wunderlich, J. Sinova, M. Muller, T. Kampfrath, T. Jungwirth
论文ID：1711.08444
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-11-23