磁控溅射法制备的Si和Ge薄膜的结构、光学和电子性质
摘要：硅和锗薄膜的GIXRR、紫外-可见-近红外和XPS测量结果。GIXRR测量结果显示这些薄膜顶部没有氧化物存在，而XPS测量结果显示有少量氧化物存在。此外，随着厚度增加，表面粗糙度显著增加，与薄膜的柱状生长一致。相比之下，硅薄膜中甚至在层内也存在氧化物，但数量很少，在GIXRR/吸收测量中无法检测到。
作者：Aniruddha Dutta, Shilpa Tripathi, Ranjeet Kumar Brajpuriya, Anupam Sharma and Thoudinja Shripathi
论文ID：1711.07174
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-11-21