探究复杂半导体异质结中电场和能带图的动态行为
摘要：多半由多半导体多层异质结构制成的现代带隙调制的电子器件对硅时代的表征方法构成了巨大的挑战。因此，当代带隙工程大多依赖于很少经过实验证实的模拟带态结构。在这里，我们提出了一种同时实验评估复杂多半导体层状结构中的带隙、带偏移和电场的方法。该方法使用一个简易的光电流光谱仪在常温条件下进行测试。利用简单的电吸收模型分析实验结果。我们将这种方法应用于典型的氮化镓高电子迁移率晶体管结构作为例子。在各种外部电场下的测量使我们能够实验构建带能级图，不仅在平衡状态下，而且在器件的任何其他工作条件下。然后利用这些电场来获得量子阱中载流子浓度和迁移率作为栅极电压的函数，以覆盖整个设备的运行条件范围。这里所示的原理可作为指导开发复杂多半导体结构中所有层的同时表征方法的准则。
作者：Yury Turkulets and Ilan Shalish
论文ID：1710.06162
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-01-18