极化工程的InGaN/GaN异质结构用于光伏应用
摘要：（0001）n-InGaN / p-GaN单异质结的光伏特性进行了数值研究，并与传统的p-GaN / i-InGaN / n-GaN结构进行了比较，采用现实材料参数。这种替代的器件结构利用了大的极化场，针对丰富In、部分弛豫和相干应变的InGaN薄膜实现了高效模块。在AM1.5G照射下，其转换效率可达到14\%，展现了适当设计的InGaN单结太阳能电池的真正潜力。
作者：Stylianos A. Kazazis, Elena Papadomanolaki, Eleftherios Iliopoulos
论文ID：1709.03729
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-12-11