基于InAlN/GaN-on-Si HEMT堆叠结构的紫外探测器，其光暗电流比> 107
摘要：InAlN/GaN-on-Si基UV探测器的研究及其性能分析
作者：Sandeep Kumar, Anamika Singh Pratiyush, Surani Bin Dolmanan, Sudhiranjan Tripathy, Rangarajan Muralidharan, Digbijoy Neelim Nath
论文ID：1709.03692
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-01-17