光激发的GaAs中杂质引起的太赫兹波调制
摘要：光致吸收对半绝缘GaAs晶体中太赫兹（THz）辐射的影响是通过脉冲THz透射光谱研究的。我们发现，在GaAs杂质吸收带的光谱范围内，低功率光激发可能引起THz辐射的宽频调制。测量得到的调制达到80％。THz调制器的幅度和频率特性严重依赖于GaAs导带中的载流子密度和弛豫动力学。在半绝缘GaAs晶体中，由杂质激发产生的载流子密度受到其弛豫到杂质中心的速率控制。弛豫速率，因此，调制器的频率特性可以通过适当选择杂质和其浓度来优化。晶体温度以及光激发的功率和光子能量也可以控制调制参数。这些实验为低功率快速光控太赫兹调制，成像和光束引导铺平了道路。
作者：A. S. Kurdyubov, A. V. Trifonov, I. Ya. Gerlovin, I. V. Ignatiev, A. V. Kavokin
论文ID：1708.07109
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-08-24