非简并硅中的自旋热电信号产生
摘要：非简并的硅自旋阀中展示了由于热自旋注入和自旋传输引起的自旋热子磁信号生成。利用自旋相关的塞贝克效应进行自旋热子磁信号的生成，并且在铁和硅的界面上产生约200mK的热梯度，使得在室温下产生8μV的自旋电压。简单扩展传统的自旋漂移扩散模型，并考虑自旋相关的塞贝克效应，显示半导体材料与金属材料相比，在自旋热子磁信号的生成方面具有很大的潜力，可以在半导体自旋器件中实现高效的热循环。
作者：Naoto Yamashita (1), Yuichiro Ando (1), Hayato Koike (2), Shinji Miwa (3), Yoshishige Suzuki (3), Masashi Shiraishi (1) ((1) Kyoto Univ., Japan. (2) TDK Corporation, Japan. (3) Osaka Univ., Japan)
论文ID：1708.07108
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-05-09