硅基GeSn激光器的波长范围覆盖在2到3μm，并在高达180 K的工作温度下运行
摘要：基于硅的单片激光器对于实现硅光子学的全面集成非常理想。通过直接带隙IV族GeSn合金激光的出现，为传统的III-V集成方法开辟了全新的途径。我们在硅上演示了光泵浦的GeSn激光器，波长覆盖范围从2到3μm。采用新开发的方法使用常规的化学气相沉积反应器和低成本的商用前驱体来生长GeSn合金。实现的最高锡组分达到了17.5％，超过了使用类似沉积化学方法的通常承认的锡掺杂限制。最高激光温度测量值为180K，并且活性层厚度仅为260nm。这种前所未有的激光性能主要归功于独特的生长方法，提供了高质量的外延材料。本文报道的结果为硅基集成光子学中红外激光器的发展迈出了重要一步。
作者：Joe Margetis, Sattar Al-Kabi, Wei Du, Wei Dou, Yiyin Zhou, Thach Pham, Perry Grant, Seyed Ghetmiri, Aboozar Mosleh, Baohua Li, Jifeng Liu, Greg Sun, Richard Soref, John Tolle, Mansour Mortazavi, Shui-Qing Yu
论文ID：1708.05927
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-08-22