Bi2Se3/YIG异质结构中强烈交换耦合和表面态调控的磁化动力学
摘要：Bi2Se3/YIG双层结构显示出强烈的界面交换耦合，表现为大的平面界面磁各向异性和通过铁磁共振（FMR）探测到的阻尼增强。当Bi2Se3的厚度约为6个五元层时，界面磁各向异性和自旋混合电导率达到最大值。界面磁各向异性和自旋混合电导率的非常规Bi2Se3厚度依赖性与Bi2Se3的表面能带结构的演化相关，表明拓扑表面态在YIG的磁化动力学中起重要作用。Bi2Se3/YIG的温度依赖FMR显示出高达180K的$T_c$的磁近效应标志，并在低温下具有与YIG磁化方向平行的有效场。我们的研究揭示了拓扑绝缘体对磁化动力学的影响，对于开发基于TI的自旋电子器件至关重要。
作者：Y. T. Fanchiang, K. H. M. Chen, C. C. Tseng, C. C. Chen, C. K. Cheng, C. N. Wu, S. F. Lee, M. Hong, and J. Kwo
论文ID：1708.00593
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-02-07