等离子体形成对于双脉冲激光激发立方体碳化硅的影响
摘要：3C-SiC中的电子激发是通过使用时变密度泛函理论(TDDFT)计算的，在强烈飞秒脉冲激光双脉冲的作用下。我们基于三种不同方法假设价带(VB)和导带(CB)中的电子分布，以确定形成的等离子体依赖于第一个脉冲的激发。首先，我们考虑简单的双脉冲辐照，不包括电子-电子碰撞和弛豫。其次，我们考虑部分热化的电子状态，其中VB和CB中的电子温度和数量是独立定义的。这种假设对应于在电子-空穴碰撞变得主导之前的等离子体。第三种方法使用完全热化的电子分布，对应于数百飞秒的时间尺度。我们的结果表明，简单的双脉冲方法是三种方法中最差的，并且表明等离子体形成会改变第二个脉冲的激发效率。当电子温度降低时，激光激发效率增加。
作者：T. Otobe, T. Hayashi, and M. Nishikino
论文ID：1707.06758
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-11-22