使用硅纳米薄膜在大面积氮化铝衬底上实现高效空穴注入的UVC LED
摘要：用于UVC LED的p-Si空穴注入层和AlN基底可显著改善AlGaN薄膜质量并改善LED性能，实现了记录的265微瓦的237nm光输出功率。在电流密度达到245 A/cm2时，未观察到强度降低或效率下降。该研究表明，使用p-Si作为UVC LED的空穴注入层是可行的，并可扩展到更短的波长，化学掺杂AlGaN层无法实现空穴注入的情况。
作者：Sang June Cho, Dong Liu, Jung-Hun Seo, Rafael Dalmau, Kwangeun Kim, Jeongpil Park, Deyin Zhao, Xin Yin, Yei Hwan Jung, In-Kyu Lee, Munho Kim, Xudong Wang, John D. Albrecht, Weidong Zhou Baxter Moody, and Zhenqiang Ma
论文ID：1707.04223
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-07-14