中子诱发的打击:对14纳米FinFET中多节点电荷收集的研究。

摘要:基于14nm肆维FinFETs的多节点电荷收集研究

作者:Nanditha P. Rao and Madhav P. Desai

论文ID:1706.03315

分类:Emerging Technologies

分类简称:cs.ET

提交时间:2017-06-13

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