分子束外延在Ge（110）上的Ge纳米线的气-固-固生长
摘要：Au辅助的蒸气-固体-固体(VSS)生长的Ge纳米线(NWs)通过分子束外延法(MBE)在220°C下展示出来，这与Si基集成电路的温度要求相适应。与在过金属-蒸汽-液体(VLS)生长的温度大约或高于Au-Ge合金的共晶温度时生长的Ge NWs相比，低温生长的Ge NWs具有较小的尺寸、类似的均匀性和更好与Au尖端直径的匹配。通过VSS生长在Ge(110)上观察到了三个生长方向，与通过高温VLS生长的Ge NWs只有一个生长方向相不同。通过分析两种生长模式的机制，定性地解释了从VLS生长到VSS生长的NWs维度和形态的演变。
作者：Zhongyunshen Zhu, Yuxin Song, Zhenpu Zhang, Hao Sun, Yi Han, Yaoyao Li, Liyao Zhang, Zhongying Xue, Zengfeng Di, Shumin Wang
论文ID：1706.01605
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-06-07