负电子束曝光正电阻下NbN纳米线超导性的增强
摘要：超导NbN纳米线的比较实验研究，使用相同的正向和负向电子束光刻以及正向PMMA光刻胶。我们发现，厚度为4.9纳米，宽度小于100纳米的纳米线在4.2K下，通过负向光刻制备时表现出更高的临界温度和临界电流密度以及再捕获电流密度。此外，由负向光刻制备的纳米线的实验临界电流与解偶临界电流的比值也较大。我们将观察到的超导性能增强与纳米线边缘在光刻过程中所受到的损伤程度的差异联系起来。负向光刻与正向PMMA光刻胶提供的一整套优势确保了这种技术在改善超导纳米线单光子探测器的性能指标方面具有很高的潜力。
作者：I. Charaev, T. Silbernagel, B. Bachowsky, A. Kuzmin, S. Doerner, K. Ilin, A. Semenov, D. Roditchev, D. Yu. Vodolazov, and M. Siegel
论文ID：1706.01289
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-09-13