影响InGaN/GaN多量子阱发光二极管载流子分布的因素
摘要：InGaN/GaN多量子阱（MQW）发光二极管（LED）中决定载流子分布的因素通过光致发光和温度相关的电致发光光谱进行了研究。通过采用二色性LED器件，我们证明，载流子复合速率在决定MQW活性区载流子分布中起着重要作用，而不仅仅是简单的空穴特性，如低迁移率和大有效质量。
作者：Dong-Pyo Han, Jong-In Shim, and Dong-Soo Shin
论文ID：1705.09559
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2018-07-04