锗n$^{+}$/p结中接触深度和陡峭度对激活和漏电流的影响
摘要：磷激活在Ge n$^{+}$/p结 PN结上的效果比较了结深度，使用激光闪烁退火在860{度}C下，持续400$mu$s。反向 PN 结的渗透性漏电强烈依赖于掺杂剂剖面的陡峭程度。与深结相比，浅而陡的结所展现的磷激活水平较低，主要是由于表面剂量丢失和更高的带带隧道（BTBT)泄漏。模拟评估了当使用这样一个陡峭结时，Ge双栅极场效应晶体管能达到的最低OFF态电流（I$\_{OFF}$)。研究结果表明，需要Ge体厚度小于5纳米才能抑制BTBT泄漏并满足国际半导体技术路线图定义的高性能器件的要求（I$\_{OFF}$ = 10$^{-7}$ A/$mu$m）。
作者：William Hsu, Amritesh Rai, Xiaoru Wang, Yun Wang, Taegon Kim, and Sanjay K. Banerjee
论文ID：1705.06733
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2017-05-22