利用OxRAM阻变开关提升CMOS图像传感器的动态范围
摘要：使用OxRAM器件在CMOS图像传感器（CIS）中实现动态范围（DR）改善的独特应用 一种改进的3T-APS（有源像素传感器）电路，将OxRAM以1T-1R配置纳入其中 通过在曝光过程中自主编程OxRAM器件电阻对像素输出信号进行电阻压缩来实现DR的提升 我们展示通过精心预先调节OxRAM电阻，可以增强像素DR。 详细讨论了OxRAM SET-to-RESET和RESET-to-SET转换对像素DR的影响。 为了使用特定的OxRAM预编程状态进行实验验证，制造并表征了一个4 Kb 10 nm厚的HfOx（1T-1R）矩阵。 对于我们的设计，获得了最佳情况下相对像素DR改善约50 dB的结果。
作者：Ashwani Kumar, Mukul Sarkar, and Manan Suri
论文ID：1705.02338
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-05-09