存储电容器在逻辑和交叉栅应用中的设备
摘要：具有记忆电性的器件（Memristive devices）在过去十年中被广泛应用于常规和非常规的计算应用中。虽然集成密度、存储属性和非线性特性具有许多优势，但由于器件的电阻性质，降低能耗的能力受到限制。而Memcapacitors可以解决这一限制，同时仍具备Memristors的所有优势。最近的研究表明，通过在制造过程中调整参数，金属氧化物器件确实可以表现出Memcapacitive行为。我们引入了新颖的Memcapacitive逻辑门和Memcapacitive交叉分类器作为概念验证，说明这些应用可以优于基于Memristors的架构。结果表明，与Memristive逻辑门相比，我们的Memcapacitive门的功耗约为其7倍。对于MNIST数据集，Memcapacitive交叉分类器可以实现相似的分类性能，但功耗降低了约1500倍；对于CIFAR-10数据集，功耗减少了约1000倍，与Memristive交叉分类器相比。我们的模拟结果表明，Memcapacitive器件在布尔逻辑和模拟低功耗应用中具有巨大的潜力。
作者：Dat Tran and Christof Teuscher
论文ID：1704.05921
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-04-21