自激振荡射频混频器中的自旋转移力驱动耦合振荡器
摘要：用于射频（RF）信号产生的基于磁隧道结（MTJ）器件的自旋转移力矩振荡器（STO）正逐渐成为互补金属-氧化物半导体的可能替代品。优势包括低功耗、小器件面积和大频率可调性。但是，这种单个器件不能实现RF应用所需的噪声性能。最近有报道称，全局耦合的STO网络在相位噪声方面取得了显著改进。本研究旨在提出使用这种耦合的STO作为自振射频混频器。讨论了混频器的关键性能参数，包括转换增益、输出功率和线性度。
作者：Supriyo Maji
论文ID：1702.02746
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-07-04