基于单极性电阻式开关的记忆电阻器中重置转换的半经验建模
摘要：基于Ni/HfO2/Si-n+结构的可切换电阻存储器从高阻态到低阻态的转变过程，即复位过程，已被测量，并且我们还开发了一个关于其电特性的分析模型。在电流-电压（I-V）空间绘制特性曲线时，观察到了很大的变异性。尽管如此，当相同的曲线在电荷-通量（Q-f）空间绘制时，它们可以用一个简单的模型来描述，该模型只包含三个参数：复位点的电荷（Qrst）和通量（frst），以及复位转变前的电荷和通量之间的指数n。这三个参数可以很容易地从Q-f图中提取出来。这三个参数之间存在着强烈的相关性，其原因仍在研究中。
作者：Rodrigo Picos, Juan Bautista Roldan, Mohamed Moner Al Chawa, Pedro Garcia-Fernandez, Francisco Jimenez-Molinos, Eugeni Garcia-Moreno
论文ID：1702.01533
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-02-07