基于混合Memristor / CMOS方法评估三进制加法器

摘要:使用混合存储器CMOS技术,称为MeMOS,来实现三值加法器的潜力的研究。三值加法器利用memristor的多值存储能力相对于在一个单元中只存储二进制值的传统CMOS触发器的定性优势。此外,它们在O(1)内执行加法,因此被认为是高效的。 MeMOS方法与使用多值memristor作为寄存器的CMOS解决方案相比,就可实现的延迟和能量消耗进行了比较。研究结果表明,使用TEAM,VTEAM模型以及考虑到商业可用memristor的模型,则使用CMOS三值加法器使用memristor作为多值寄存器内存的方法更优。MeMOS电路在静态操作模式下具有优势,即在重置后运行时。

作者:Dietmar Fey

论文ID:1701.00065

分类:Emerging Technologies

分类简称:cs.ET

提交时间:2017-01-03

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