基于55纳米NOR闪存单元的温度不敏感模拟向量-矩阵乘法器
摘要：一个基于重新设计的10×12阵列的55nm商用NOR闪存单元制造和成功测试出的模拟向量乘法器。修改后的阵列可以对每个单元进行高精度个别的模拟调谐，精度达到小于1％，同时保持高度优化的单元及其长期状态保留。该阵列每个单元的面积为0.33 um^2，并且比之前报道的非易失性模拟存储器的实现至少高出一个数量级。使用门结合额外的周边单元进行向量乘以向量，其精度约为2％，受到单元噪声、保留、不匹配、过程变异、调谐精度和电容串扰等集合效应的限制。乘法器的差分版本使我们能够在25℃至85℃范围内展示出小于3％的温度漂移的输出信号。
作者：X. Guo, F. Merrikh Bayat, M. Prezioso, Y. Chen, B. Nguyen, N. Do, and D. B. Strukov
论文ID：1611.03379
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-11-12