应变电子磁隧穿结三元内容可寻址存储
摘要：应变磁电隧道结构(s-MTJ)开关通过在MTJ的磁致伸缩自由层中使用电压产生的应变来控制电阻，是极其节能的开关，在开关过程中只会消耗极小的能量。然而，它们也相对容易出错，并且具有低的电阻开关比。这表明，作为计算元件，它们更适合非布尔型架构。在这里，我们提出并分析了一种使用s-MTJ和一些晶体管实现的三进制内容可寻址存储器，在传统全晶体管实现中遇到的挑战上取得了突破，实现了异常高的单元密度。
作者：S. Dey Manasi, M. M. Al Rashid, J. Atulasimha, S. Bandyopadhyay, A. R. Trivedi
论文ID：1610.03902
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-07-18