CMOS-电子记忆电阻树突阈值电路
摘要：非线性神经元模型克服了线性二值神经元模型的限制，后者无法计算线性不可分函数，如异或函数。尽管之前的研究中报告了基于树突阈值的多个生物学合理模型，但这种非线性神经元模型的硬件实现仍然是一个未解决的问题。在本文中，我们提出了一种用于实现树突尖峰和饱和型非线性响应的电路设计。所提出的树突细胞被用于构建异或电路和强度检测电路，其中包括具有饱和和尖峰响应的不同组合的树突细胞。树突细胞使用一组忆阻器、齐纳二极管和CMOS非门设计而成。电路在电路板上进行了设计、分析和验证。
作者：Askhat Zhanbossinov, Kamilya Smagulova, Alex Pappachen James
论文ID：1609.04921
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-09-19