基于单个记忆传输器的非易失性多级存储器和布尔逻辑门
摘要：具有非线性磁电效应的Memtranstor可以通过相关电荷和磁通来发展下一代非易失性设备。除了多级非易失性存储器之外，我们在这里展示了由Ni/PMN-PT/Ni异质结构构成的单个Memtranstor中可以实现非易失性逻辑门，如NOR门和NAND门。在Memtranstor上施加两个连续的电压脉冲（X1，X2）作为逻辑输入后，输出的磁电压可以是正高（逻辑“1”），正低（逻辑“0”）或负（逻辑“0”），这取决于X1和X2的电平。底层物理机理与由输入选择性电压脉冲控制的铁电极化的完全或部分反转有关，它决定了磁电压系数的大小和符号。存储和逻辑的综合功能使得Memtranstor成为超越冯·诺依曼架构的未来计算系统的有前途的候选者。
作者：Jianxin Shen, Dashan Shang, Yisheng Chai, Yue Wang, Junzhuang Cong, Shipeng Shen, Liqin Yan, Wenhong Wang, and Young Sun
论文ID：1609.03412
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2017-01-04