一种可实际演示的记忆电阻熔断器
摘要：基于基于TiOx的ReRAM单元的实验表明，我们将存储器熔丝的概念与互补性电阻开关（Complementary Resistive Switch，CRS）的概念联系起来，并利用这种联系来解释存储器熔丝的基本操作原理。该熔丝是通过一系列相反极性的脉冲刺激来激活的。在响应中，我们观察到电阻状态逐渐降低，然后逐渐恢复，无论输入刺激的极性如何；这与传统的二元CRS行为类似。这种模拟开关特性使得存储器熔丝可以作为单组件的阶跃变化检测器进行操作。此外，我们发现，在本研究中用于演示存储器熔丝概念的各个存储器的特性使得我们的熔丝可以在一个元件可以从另一个元件中独立地切换的状态下进行操作。这种属性在传统的CRS中不存在，表明固有的模拟存储器熔丝架构可能通过精细控制其电阻状态来支持额外的操作灵活性。
作者：Alexander Serb, Ali Khiat, and Themistoklis Prodromakis
论文ID：1609.02410
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-09-09