交叉点RRAM阵列中随机行为的设备与电路相互作用分析
摘要：RRAM的随机行为在交叉点存储阵列的设计中起着重要作用。我们开发了一种氧化物RRAM的Monte Carlo紧凑模型，并通过对各种器件堆叠配置的实验进行了校准。通过Monte Carlo SPICE仿真，我们展示了阵列大小和互连导线电阻的增加会统计上损坏写功能。写入失败概率（WFP）在设备均匀性和供应电压（VDD）上呈指数依赖关系，而阵列偏置方案是关键因素。降低阵列VDD会导致有效能耗（EEC）增加，因为分析中包含的变化统计数据增加了WFP。随机访问模拟表明，数据稀疏性在统计上有利于写功能和能耗。最后，我们展示了一种伪子阵列拓扑，其中在原始高电阻状态下均匀分布预成形单元，能够降低WFP和EEC，提高存储电路的净容量，因为改善了变化容忍度。
作者：Haitong Li, Peng Huang, Bin Gao, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, H.-S. Philip Wong
论文ID：1606.07457
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2019-07-19