二极管-STTRAM交叉阵列的多位读写方法论
摘要：在交叉阵列中使用新兴的非易失性存储器技术，如电阻式RAM (ReRAM)，提供高密度、快速访问速度和低功耗。然而，为了避免选择不希望的位，交叉阵列的带宽限制为每次访问仅能进行单位读/写。我们提出了一种在二极管-STTRAM (自旋转移力磁阻存储器)交叉阵列中执行多位读写的技术。模拟结果表明，可以调整半选中单元的偏置电压来改善读取时的感知边际，从而减少通过半选中单元的偷窃路径。在写入操作中，半选中单元使用脉冲电压源进行偏置，这增加了这些单元的写入延迟，并使得能够在保持半选中位未被干扰的情况下写入2位。模拟结果表明，将半选中单元偏置电压设为700mV可以实现读取512位，同时保持512x512交叉阵列具有2.04年的保留时间。进行2位写入需要脉冲电压为50mV以优化能量。
作者：Mohammad Nasim Imtiaz Khan, Swaroop Ghosh, Radha Krishna Aluru and Rashmi Jha
论文ID：1606.00470
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-06-03