外延定义的FinFET中的增强电路密度 (EDFinFETs) 相对于 FinFETs 的优势
摘要：Epitaxially Defined FinFET (EDFinFET)通过扩宽fin的宽度来减小LER基于VT的可变性。这项研究表明，尽管EDFinFET设备的占地面积约为FinFET的两倍，但在W/L为2及更高的基本构建块（如反相器或NAND门）上，EDFinFET可能产生相等或更高的电路密度。
作者：Sushant Mittal, Aneesh Nainani, M.C. Abraham, Saurabh Lodha, and Udayan Ganguly
论文ID：1604.04454
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-04-18