基于写入电压和频率参考的研究可靠性方面的基于电阻随记忆器的RRAM
摘要：写电压和频率对基于电阻式随机存取存储器的存储效果的影响
作者：T. D. Dongale, K. V. Khot, S. V. Mohite, N. K. Desai, S. S. Shinde, A. V. Moholkar, K. Y. Rajpure, P. N. Bhosale, P. S. Patil, P. K. Gaikwad, R. K. Kamat
论文ID：1602.01947
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-02-12