用记忆电阻器件模拟长期突触动力学
摘要：固态TiO2 memristor可以展示生物皮层突触中观察到的联想可塑性现象，并且可由一种称为三重规则的现象学可塑性模型捕捉到。该规则包含一个脉冲时序依赖可塑性机制和经典的赫布关联机制，并与大量电生理数据相符。通过一系列人工memristive突触的实验，我们表明，与固态存储器的常规使用相反，可以出现同时存在场驱动和热驱动的切换机制，这可以实现双极和/或单极编程模式，并捕捉到长期增强和抑制的突触动力学。我们进一步证明，memristor的非线性累积特性促进了长期增强或抑制的记忆转变。
作者：Shari Lim Wei, Eleni Vasilaki, Ali Khiat, Iulia Salaoru, Radu Berdan, Themistoklis Prodromakis
论文ID：1509.01998
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-04-25