皮克特隧穿势垒忆阻器模型的精度提升
摘要：钛酸钛(TiO2)忆阻器展示了复杂的导电机制。为了模拟忆阻器设备中观察到的物理行为，已经开发了多种不同复杂度的模型。Pickett的隧道势垒模型描述了TiO2忆阻器，并利用了隧道势垒宽度的复合导数。在ON开关区域，它产生了较大的误差。许多研究将其视为TiO2忆阻器的参考模型。在本文中，我们首先分析了忆阻器的工作原理，并讨论了Pickett的模型。然后，我们提出了对其导数函数的修改，以提供较低的误差并与物理行为更加接近的一致性。这一修改通过引入两个额外的拟合参数来阻尼或加速隧道宽度的导数。此外，我们还加入了一个硬限制项，将隧道宽度限制在其物理极限1纳米和2纳米之间。我们进行模拟来测试模型的修改，并将结果与实验和原始的Pickett模型结果进行比较。修改后的模型更接近于TiO2忆阻器的实验行为，并有可能将其用作多级存储器。
作者：Ahmad Daoud, Ahmed Dessouki, Sherif Abuelenin
论文ID：1502.07267
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2016-05-20