基于互补电阻开关交叉阵列的加法器
摘要：基于氧化还原的可变电阻开关设备（ReRAM）是适用于纳米级内存应用的新兴非挥发性存储元件。在逻辑操作方面，建议使用 ReRAM 设备作为可编程互联、大规模查找表或顺序逻辑操作。然而，这些方法在没有额外的选择器设备的情况下，不适用于大规模纳米交叉开关记忆阵列，这是由于呈现最小面积消耗的 ReRAM 设备的首选架构。通过采用 CRS（互补可变电阻开关）的顺序逻辑方法来解决这个问题，在最近我们引入了一个新颖的概念，该概念适用于使用 CRS 的无源交叉开关阵列。CRS 单元提供两个高电阻存储态，因此能够有效避免副通路漏电流。然而，到目前为止，基于 CRS 的逻辑-内存方法只能使用单个 CRS 单元执行基本布尔逻辑运算。在本文中，我们介绍了两个使用基于 CRS 的逻辑-内存方法的多位加法器。我们通过使用 ReRAM 单元的动态存储模型的 SPICE 模拟来证明这些概念。最后，我们展示了我们的新型加法器概念在步骤数和设备数量方面相对于最近发表的加法器方法的优势，该方法应用了 Borghetti 等人引入的传统 ReRAM 顺序逻辑概念。
作者：A. Siemon, S. Menzel, R. Waser, E. Linn
论文ID：1410.2031
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2015-03-02