纳米线挥发性RAM作为SRAM的替代方案
摘要：基于网格的可充电非易失性随机存取存储器（NWRAM）在制造复杂性和无用的暂慢功耗控制方面具有突出的优势。本论文详细介绍了NWRAM电路方面和可制造性，并通过仿真与最先进的6T-SRAM和网格8T-SRAM设计进行了对比，量化了16nm技术节点上的效益。结果显示，与高性能网格化8T-SRAM设计相比，10T-NWRAM在速度上快2倍，泄露功耗方面提高35倍。
作者：Mostafizur Rahman, Santosh Khasanvis, and Csaba Andras Moritz
论文ID：1404.0615
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2014-04-03