摘要：高电压反向偏置p+-n-n+ 结构皮秒级开关进入导电状态的分析理论已被提出并进行了数值模拟。结合理论和模拟结果，我们得到了结构参数、光脉冲、外部电路和过程的主要特征之间的简单关系 - 负载电流脉冲幅值和开关过程持续时间。
作者：A. S. Kyuregyan
论文ID：1403.8071
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2017-10-26
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