做好的记忆电阻模型在电阻切换器件仿真中的适用性
摘要：抗阻型开关设备的高度准确和预测性模型对于未来的存储和逻辑设计非常重要。目前广泛使用的是将抗阻型开关视为动态系统的记忆恢复建模方法。在这里我们引入了三个评估标准来评估记忆恢复器模型，检查I-V特性的可信度，开关动力学的足够非线性性，并且能够正确预测两个串联设备的行为的可行性。我们分析了两类模型：第一类模型包括常见的线性记忆恢复器模型，第二类模型是广泛使用的非线性记忆恢复器模型。线性记忆恢复器模型基于Strukov的初始记忆恢复器模型，该模型通过不同的窗口函数进行了扩展，而非线性模型包括Picketts基于物理的记忆恢复器模型和其派生模型。这项研究揭示了第一类模型在预测方面的不足，不论应用的窗口函数为何。只有基于物理的模型能够达到大部分基本的评估标准。
作者：E. Linn, A. Siemon, R. Waser, S. Menzel
论文ID：1403.5801
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2015-03-02