使用Heusler合金的交叉形自由层进行微磁学研究的自旋转移扭矩随机存取存储器性能分析
摘要：用基于十字形Heusler化合物的自由层设计的自旋转移扭矩随机访问存储器(STT-RAM)单元的性能进行了微观磁性模拟。在本文中，模拟结果预测了从一种状态到另一种状态的切换时间缩短。还检查了用于切换STT RAM单元的自由层磁化的临界切换电流密度的降低。
作者：Tangudu Bharat Kumar, Bhaskar Awadhiya, E.MeherAbhinav, Bahniman Ghosh and Bhupesh Bishnoi
论文ID：1401.6971
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2014-01-28