超紧凑绝热双分段锥形耦合器用于Si/III-V异质集成
摘要：超紧凑的双截面绝热锥形耦合器，适用于Si / III-V异质集成中常用的单模SOI导波波导和Si / III-V混合波导之间的绝热模式转换。由于双截面锥形耦合器模仿了半三维锥形，并避免在厚的p-InP包层中激发不需要的高阶模式（在第一个锥形截面中被去除），因此绝热模式耦合器的长度可以大大缩短。考虑到掩膜设计和制造容差，我们仅在III/V结构中设计了锥形结构，同时保持SOI导线波导的直线。在所提出的结构中，双截面锥形耦合器的长度可以为9.5微米，在约100纳米的带宽范围内具有大于95％的大基模耦合比，并且即使BCB层厚度为50纳米时，也可容忍100纳米的失配。
作者：Qiangsheng Huang, Jianxin Cheng, Liu Liu, and Sailing He
论文ID：1401.5310
分类：Optics
分类简称：physics.optics
提交时间：2023-07-19