台湾和西太平洋上能量电子引起的TEC增强
摘要：活跃的内辐射带中的高能电子在地磁扰动期间可以穿透禁区漂移壳层，位于顶层赤道电离层（<1000 km）的高度。先前的研究发现，正离子层风暴与禁区内约900 km高度处强烈的准囚禁30 keV电子通量之间存在很好的相关性。在本研究中，我们使用统计学方法验证一个假设，即在顶层赤道电离层中的强烈电子通量可能是低纬度电离层电离的重要来源。我们使用1999年至2006年间62个强烈地磁风暴期间极地轨道卫星获取的高能电子数据。通过全球电离图的垂直总电子含量（VTEC）来确定选定风暴对电离层的响应。一个关于2004年11月9日发生的一次大型风暴的个案研究提供了实验证据，支持高能电子对低纬度正离子层风暴的重要电离效应。对九次磁风暴的统计分析表明，VTEC的增加与强烈的30 keV电子通量同时发生，不论当地时间和地磁风暴的相位如何。我们得出结论，顶层低纬度电离层中极度强烈的30 keV电子通量可能对局部正离子层风暴贡献约10-30 TECU。
作者：A.V. Suvorova, L.-C. Tsai, A.V. Dmitriev
论文ID：1301.2414
分类：Space Physics
分类简称：physics.space-ph
提交时间：2013-01-14